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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
14.4
写入速度,GB/s
5.9
8.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2511
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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