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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
28
读取速度,GB/s
8.9
17.3
写入速度,GB/s
5.9
15.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3628
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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