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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
32
读取速度,GB/s
8.9
16.6
写入速度,GB/s
5.9
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3405
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
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