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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
48
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
39
读取速度,GB/s
8.9
15.4
写入速度,GB/s
5.9
14.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3402
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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