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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
48
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
35
读取速度,GB/s
8.9
15.6
写入速度,GB/s
5.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2976
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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