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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
29
读取速度,GB/s
8.9
18.1
写入速度,GB/s
5.9
14.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3673
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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