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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
48
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
35
读取速度,GB/s
8.9
15.0
写入速度,GB/s
5.9
10.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2636
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
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