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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
72
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
72
读取速度,GB/s
8.9
15.6
写入速度,GB/s
5.9
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1728
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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