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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
48
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
38
读取速度,GB/s
8.9
14.5
写入速度,GB/s
5.9
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2659
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
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