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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
48
左右 -140% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
20
读取速度,GB/s
8.9
18.9
写入速度,GB/s
5.9
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3281
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
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