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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
31
读取速度,GB/s
8.9
20.8
写入速度,GB/s
5.9
16.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3878
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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