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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
31
读取速度,GB/s
8.9
18.4
写入速度,GB/s
5.9
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3219
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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