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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
99
左右 52% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
99
读取速度,GB/s
8.9
14.2
写入速度,GB/s
5.9
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1499
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
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