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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905678-005.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
32
读取速度,GB/s
8.9
15.6
写入速度,GB/s
5.9
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2991
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
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