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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905700-053.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
48
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
41
读取速度,GB/s
8.9
13.8
写入速度,GB/s
5.9
10.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2458
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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