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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905702-120.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
16.1
写入速度,GB/s
5.9
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3199
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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