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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
48
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
34
读取速度,GB/s
8.9
15.8
写入速度,GB/s
5.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2929
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
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