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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
8.9
13.6
写入速度,GB/s
5.9
6.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2120
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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