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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
56
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
56
读取速度,GB/s
8.9
9.5
写入速度,GB/s
5.9
7.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2294
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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