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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
59
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
59
读取速度,GB/s
8.9
9.1
写入速度,GB/s
5.9
7.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2025
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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