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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
48
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
45
读取速度,GB/s
8.9
11.6
写入速度,GB/s
5.9
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2036
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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