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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
48
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
38
读取速度,GB/s
8.9
14.2
写入速度,GB/s
5.9
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2470
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
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