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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
28
读取速度,GB/s
8.9
13.2
写入速度,GB/s
5.9
9.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1989
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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