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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
8.9
9.7
写入速度,GB/s
5.9
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1767
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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