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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
48
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
35
读取速度,GB/s
8.9
15.2
写入速度,GB/s
5.9
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2642
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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