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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
8.9
17.4
写入速度,GB/s
5.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2801
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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