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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
47
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
39
读取速度,GB/s
9.3
12.8
写入速度,GB/s
5.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2089
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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