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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
9.3
14.2
写入速度,GB/s
5.9
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2873
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
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