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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
9.3
16.8
写入速度,GB/s
5.9
14.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3488
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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