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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
9.3
17.6
写入速度,GB/s
5.9
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3268
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
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