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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
47
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
32
读取速度,GB/s
9.3
15.6
写入速度,GB/s
5.9
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3000
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
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Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
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