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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 9905701-021.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
9.3
17.3
写入速度,GB/s
5.9
10.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2960
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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