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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
47
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
37
读取速度,GB/s
9.3
16.9
写入速度,GB/s
5.9
14.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3419
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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