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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
53
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
53
读取速度,GB/s
9.3
10.4
写入速度,GB/s
5.9
7.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2333
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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