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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
9.3
14.7
写入速度,GB/s
5.9
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2231
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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