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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
47
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
44
读取速度,GB/s
9.3
14.9
写入速度,GB/s
5.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2191
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905665-017.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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