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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
9.3
14.5
写入速度,GB/s
5.9
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2892
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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