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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.3
19.1
写入速度,GB/s
9.0
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3768
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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