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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
53
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
53
读取速度,GB/s
13.3
13.5
写入速度,GB/s
9.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2871
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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