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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
43
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
43
读取速度,GB/s
13.3
14.6
写入速度,GB/s
9.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3252
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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