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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.3
15.5
写入速度,GB/s
9.0
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2372
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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