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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
13.3
13.3
写入速度,GB/s
9.0
9.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2358
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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