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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
13.3
22.7
写入速度,GB/s
9.0
18.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
4202
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
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