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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.3
18.6
写入速度,GB/s
9.0
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3413
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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