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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
69
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
69
读取速度,GB/s
13.3
14.6
写入速度,GB/s
9.0
9.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
1992
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
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