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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
97
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
97
读取速度,GB/s
13.3
15.5
写入速度,GB/s
9.0
6.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
1479
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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