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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
48
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
48
读取速度,GB/s
13.3
11.0
写入速度,GB/s
9.0
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2235
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
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