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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

总分
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

总分
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 43
    左右 5% 更低的延时
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.9 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 43
  • 读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 11.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2016 left arrow 2864

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB RAM的比较

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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内存RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Team Group Inc. 16GB
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内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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内存RAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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