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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
13.3
15.8
写入速度,GB/s
9.0
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2927
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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