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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
13.3
13.5
写入速度,GB/s
9.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2026
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kllisre 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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